7T中子散射超导磁体及1.5K样品变温系统
主要技术指标：
外形尺寸：Ø818*1990
冷却方式：制冷机直接冷却
中子束窗厚度：≤5mm
磁场值：对称模式可达磁场≥7.0T；非对称模式≥5.0T
磁场均匀度：样品中心磁场均匀度＜1%（Ф10mm×20mm高的圆柱内），样品中心磁场均匀度＜2%（Ф25mm×30mm高的圆柱内）
中子入射截面尺寸：42mm×42mm
散射窗垂直角度：≥±5°
散射窗水平角度：≥170°
可变温插件VTI内径：≥50mm
变温范围：1.5K-300K
主要用途：用于散裂中子源谱仪原位中子散射实验,在一定时间内对样品进行降温冷却，为样品提供zui低温度≤1.5K，zui高温度≥300K的温度范围，对称模式可达中心磁场≥7T的实验环境，非对称模式可达中心磁场≥5T的实验环境，且具备远程监控功能和接口，同时能够自动控制和调节磁场大小和变温插件（VTI）温度。
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